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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM2301ACX RFG
TSM2301ACX RFG Image
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TSM2301ACX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM2301ACX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM2301ACX RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TSM2301A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 98530

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Spezifikation

TSM2301ACX RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2301ACX RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2301ACX RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM2301  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301ACX RFG.

Produkteigenschaften TSM2301ACX RFG TSM2302CX RFG TSM2301BCX RFG TSM2301CX RFG
Artikelnummer TSM2301ACX RFG TSM2302CX RFG TSM2301BCX RFG TSM2301CX RFG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 15 V 587 pF @ 10 V 415 pF @ 6 V 447 pF @ 6 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc) 3.9A (Tc) 2.8A (Tc) 2.8A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±12V ±8V ±8V ±8V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer TSM2301 TSM2302 - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V 7.8 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2.8A, 4.5V 65mOhm @ 3.2A, 4.5V 100mOhm @ 2.8A, 4.5V 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) 1.5W (Tc) 900mW (Ta) 900mW (Ta)

TSM2301ACX RFG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM2301ACX RFG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM2301ACX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM2301A.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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